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              深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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              圖片信息
              IKB03N120H2ATMA1圖片
              基本技術(shù)信息:
            3. 電子器件型號:IKB03N120H2ATMA1
            4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
            5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
            6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            7. 點擊此處下載IKB03N120H2ATMA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
            8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
            9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
            10. 制造商產(chǎn)品型號:IKB03N120H2ATMA1
            11. 制造商:Infineon Technologies
            12. 描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
            13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            14. 產(chǎn)品系列:-
            15. 零件狀態(tài):最後搶購
            16. IGBT類型:-
            17. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
            18. 電流-集電極(Ic)(最大值):9.6A
            19. 電流-集電極脈沖(Icm):9.9A
            20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A
            21. 功率-最大值:62.5W
            22. 開關(guān)能量:290μJ
            23. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
            24. 柵極電荷:22nC
            25. 25°C時Td(開/關(guān))值:9.2ns/281ns
            26. 測試條件:800V,3A,82 歐姆,15V
            27. 反向恢復(fù)時間(trr):42ns
            28. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
            29. 安裝類型:表面貼裝型
            30. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
            31. IKB03N120H2ATMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
            32. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              Infineon產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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              深圳市南皇電子有限公司 - IKB03N120H2ATMA1 - Infineon公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

              深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求

              除Infineon外,我司還在以下品牌具有優(yōu)勢:Wurth | WeEn | U-Blox | Trinamic | Traco Power |

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