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              圖片信息
              

              BSS84P H6327圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：BSS84P H6327
              6. 

            6. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
              7. 

            7. 技術標準參數：MOSFET P-CH 60V 170mA SOT23
              8. 

            8. 產品應用分類：單端場效應管
              9. 

            9. 點擊此處下載BSS84P H6327的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. Infineon英飛凌公司完整型號：BSS84P H6327
            12. 制造廠家名稱：Infineon Technologies
            13. 描述：MOSFET P-CH 60V 170mA SOT23
            14. 系列：SIPMOS
            15. FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
            16. FET 功能：邏輯電平門
            17. 漏源極電壓 (Vdss)：60V
            18. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：170mA（Ta）
            19. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8 歐姆 @ 170mA，10V
            20. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
            21. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.5nC @ 10V
            22. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：19pF @ 25V
            23. 功率 - 最大值：360mW
            24. 安裝類型：表面貼裝
            25. 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
            26. 供應商器件封裝：PG-SOT23-3
            27. BSS84P H6327均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
              28. 

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