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      圖片信息
      

      BSS159N H6327圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：BSS159N H6327
      2. 

    2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
      4. 

    4. 產品應用分類：單端場效應管
      5. 

    5. 點擊此處下載BSS159N H6327的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Infineon英飛凌公司完整型號：BSS159N H6327
    8. 制造廠家名稱：Infineon Technologies
    9. 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
    10. 系列：SIPMOS
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：耗盡模式
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：60V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：230mA（Ta）
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.5 歐姆 @ 160mA，10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 26μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.9nC @ 5V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：44pF @ 25V
    19. 功率 - 最大值：360mW
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
    22. 供應商器件封裝：PG-SOT23-3
    23. BSS159N H6327均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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