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      圖片信息
      

      BSC750N10ND G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：BSC750N10ND G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
      4. 

    4. 產品應用分類：場效應管陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載BSC750N10ND G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Infineon英飛凌公司完整型號：BSC750N10ND G
    8. 制造廠家名稱：Infineon Technologies
    9. 描述：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
    10. 系列：OptiMOS?
    11. FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
    12. FET 功能：標準
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：100V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：13A
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 13A，10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：720pF @ 50V
    19. 功率 - 最大值：26W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：8-PowerVDFN
    22. 供應商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
    23. BSC750N10ND G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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