深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供BSC190N12NS3 G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSC190N12NS3 G制造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8系列：OptiMOS?FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.6A（Ta），44A（Tc）不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 39A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 42μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2300pF @ 60V功率 - 最大值：69W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）BSC190N12NS3 G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
