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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IXTT3N200P3HV（品牌: IXYS）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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IXYS產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

IXTT3N200P3HV - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，IXYS代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IXTT3N200P3HV

原始制造廠商：IXYS

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 2000V 3A TO268

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXTT3N200P3HV

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購(gòu)）

描述：MOSFET N-CH 2000V 3A TO268

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：2000V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：8 歐姆 @ 1.5A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1860pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：520W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-268

IXTT3N200P3HV均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

關(guān)注度比較高的相關(guān)IXYS產(chǎn)品：

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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