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      圖片信息
      

      IS43DR86400C-3DBLI-TR圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：IS43DR86400C-3DBLI-TR
      2. 

    2. 原始制造廠商：ISSI
      3. 

    3. 技術標準參數：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
      4. 

    4. 產品應用分類：存儲器
      5. 

    5. 點擊此處下載IS43DR86400C-3DBLI-TR的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：IS43DR86400C-3DBLI-TR
    8. 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    9. 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
    10. 產品系列：存儲器
    11. 包裝：卷帶（TR）
    12. 系列：-
    13. 零件狀態：不適用於新設計
    14. 存儲器類型：易失
    15. 存儲器格式：DRAM
    16. 技術：SDRAM - DDR2
    17. 存儲容量：512Mb（64M x 8）
    18. 存儲器接口：并聯
    19. 時鐘頻率：333MHz
    20. 寫周期時間-字，頁：15ns
    21. 訪問時間：450ps
    22. 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
    23. 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
    24. 安裝類型：表面貼裝型
    25. 產品封裝：60-TFBGA
    26. IS43DR86400C-3DBLI-TR均從ISSI代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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      ISSI產品廣泛的應用范圍
      

      

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