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      圖片信息
      

      IRL6372PBF圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：IRL6372PBF
      2. 

    2. 原始制造廠商：IR，國際整流器
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
      4. 

    4. 產品應用分類：場效應管陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載IRL6372PBF的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：IRL6372PBF
    8. 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
    9. 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
    10. 系列：HEXFET
    11. FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
    12. FET 功能：邏輯電平門
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：30V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8.1A
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：17.9 毫歐 @ 8.1A，4.5V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 4.5V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1020pF @ 25V
    19. 功率 - 最大值：2W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
    22. 供應商器件封裝：8-SO
    23. IRL6372PBF均從IR代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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      IR產品廣泛的應用范圍
      

      

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      除IR外，我司還在以下品牌具有優勢：IR | Infineon | FTDI | Fairchild | Diodes | 
      

      

      

      

      



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