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              圖片信息
              

              IRFHM8363TRPBF圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：IRFHM8363TRPBF
              6. 

            6. 原始制造廠商：IR，國際整流器
              7. 

            7. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
              8. 

            8. 產品應用分類：場效應管陣列
              9. 

            9. 點擊此處下載IRFHM8363TRPBF的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：IRFHM8363TRPBF
            12. 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
            13. 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
            14. 系列：HEXFET
            15. FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
            16. FET 功能：邏輯電平門
            17. 漏源極電壓 (Vdss)：30V
            18. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A
            19. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V
            20. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
            21. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
            22. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V
            23. 功率 - 最大值：2.7W
            24. 安裝類型：表面貼裝
            25. 產品封裝：8-PowerVDFN
            26. 供應商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33
            27. IRFHM8363TRPBF均從IR代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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