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      圖片信息
      

      IRF6655TR1PBF圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：IRF6655TR1PBF
      2. 

    2. 原始制造廠商：IR，國際整流器
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
      4. 

    4. 產品應用分類：單端場效應管
      5. 

    5. 點擊此處下載IRF6655TR1PBF的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：IRF6655TR1PBF
    8. 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
    9. 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    10. 系列：HEXFET
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：標準
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：100V
    14. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4.2A（Ta），19A（Tc）
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：62 毫歐 @ 5A，10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 25μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11.7nC @ 10V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：530pF @ 25V
    19. 功率 - 最大值：2.2W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 產品封裝：DirectFET 等容 SH
    22. 供應商器件封裝：DIRECTFET SH
    23. IRF6655TR1PBF均從IR代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

      時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
      

      

      


      

      

      

      

      IR產品廣泛的應用范圍
      

      

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      除IR外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：GigaDevice | GeneSiC | FUJI | EverSpin | Etron | 
      

      

      

      

      



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