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              圖片信息
              GA05JT12-263圖片
              基本技術信息:
            3. 電子器件型號:GA05JT12-263
            4. 原始制造廠商:GeneSiC
            5. 技術標準參數:TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
            6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
            7. 點擊此處下載GA05JT12-263的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
            8. 現貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求!
            9. 技術參數詳解:
            10. 制造商產品型號:GA05JT12-263
            11. 制造商:GeneSiC Semiconductor
            12. 描述:TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
            13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
            14. 產品系列:-
            15. 零件狀態:有源
            16. FET類型:-
            17. 技術:SiC(碳化硅結晶體管)
            18. 漏源電壓(Vdss):1200V
            19. 25°C時電流-連續漏極(Id):15A(Tc)
            20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
            21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
            22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
            23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
            24. Vgs(最大值):-
            25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
            26. FET功能:-
            27. 功率耗散(最大值):106W(Tc)
            28. 工作溫度:175°C(TJ)
            29. 安裝類型:表面貼裝型
            30. 器件封裝:D2PAK(7-Lead)
            31. GA05JT12-263均從GeneSiC代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
            32. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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              GeneSiC
              1N4593R
              GeneSiC
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