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深圳市南皇電子有限公司長期提供ZXM66P03N8TA（品牌: Diodes）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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ZXM66P03N8TA - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Diodes代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：ZXM66P03N8TA

原始制造廠商：Diodes，美臺半導體

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：ZXM66P03N8TA

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.25A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 5.6A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1979pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SO

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