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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供DMT10H017LPD-13（品牌: Diodes）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

DMT10H017LPD-13 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Diodes代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：DMT10H017LPD-13

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMT10H017LPD-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：54.7A（Tc）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：17.4 毫歐 @ 17A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：28.6nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1986pF @ 50V

功率-最大值：2.2W（Ta），78W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerTDFN

DMT10H017LPD-13均從Diodes代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Diodes

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