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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供DMN2011UFDE-13（品牌: Diodes）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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Diodes產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

DMN2011UFDE-13 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Diodes代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：DMN2011UFDE-13

原始制造廠商：Diodes，美臺(tái)半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMN2011UFDE-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：11.7A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：9.5 毫歐 @ 7A，4.5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：84nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3372pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：610mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：U-DFN2020-6（E 類）

DMN2011UFDE-13均從Diodes代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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