聚焦Nexperia安世半導體公司全網新聞事件、熱點話題、人物動態、產品資訊（2026年2月11日更新）
Nexperia新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時具有高的柵級閥值電壓和低反向導通電壓。...
Nexperia新款P溝道MOSFET面向極性反接保護；作為高邊開關，用于座位調節、天窗和車窗控制等各種汽車應用。它們也適用于5G基站等工業應用場景。...
Nexperia MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過36%的空間。由于采用了先進工藝流程，這些新器件提供低導通電阻RDS(on)，與競爭對手產品相比減小了60%以上...
據披露，Frans Scheper還將在未來一段時間內擔任董事長私人顧問，繼續幫助實現平穩過渡。董事會謹對首席執行官（之前擔任NXP 標準產品事業部總經理）Frans Scheper所取得的成就表示由衷的感謝和尊重。...
安世半導體新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術與有源可控硅（SCR）技術，USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特別感興趣。該器件可實現極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態電阻低至0.1 Ω）以及非常穩健的防浪涌與ESD性能...
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